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DRAM和MRAM有什么區(qū)別?

2024-01-22 11:48:10

    DRAM利用電容儲存電荷多少來存儲數(shù)據(jù),需要定時刷新電路克服電容漏電問題,讀寫速度,常用于容量大的主存儲器,如計算機、智能手機、服務器內(nèi)存等。
 
    MRAM與使用電子電荷來存儲數(shù)據(jù)的半導體存儲器不同,MRAM 使用磁性元件來存儲數(shù)據(jù)。它使用電子自旋,與電荷不同的是,電子自旋本質(zhì)上是永久的。MRAM結(jié)合了SRAM的速度、DRAM的密度和閃存的非易失性,因此通常被稱為理想存儲器。
 
    DRAM隨著單元尺寸的不斷減小、集成密度的增加和帶寬的改進而不斷發(fā)展,同時隨著移動設(shè)備變得越來越普遍而追求低功耗。然而,DRAM 作為基于電荷的存儲器也有其缺點。即使在不工作時,它也需要不斷刷新以彌補隨著時間的推移而損失的電量,這會導致待機功耗。此外,隨著集成密度的增加,存儲單元之間的干擾也會增加,這使得繼續(xù)擴展 DRAM 變得極具挑戰(zhàn)性。這就是 MRAM 的用武之地。這種類型的存儲器基于 MTJ 處單位單元的電阻變化。由于它使用“旋轉(zhuǎn)”而不是電荷來存儲數(shù)據(jù),因此它幾乎可以無限期地保留信息,并且不需要備用電源。這種架構(gòu)可以減少存儲設(shè)備的總功耗,從而實現(xiàn)高能源效率。


本文關(guān)鍵詞:DRAM,MRAM

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