隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。MB85RS2MLY可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用的FRAM存儲芯片。
 
  MB85RS2MLY在-40℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)保證10萬億次讀/寫循環(huán)次數(shù)。此特性對于某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用程序是最佳的。例如，如果連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)超過30億次。可靠性測試符合AEC-Q1001級，從數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性的角度來看，MB85RS2MLY保證可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用。采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8引腳SOP封裝，可以輕松替換具有類似封裝的現(xiàn)有EEPROM。此外，還提供尺寸為5.0x6.0x0.9mm的8引腳DFN（雙扁平無引線）封裝。
 
  FeRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，與EEPROM和閃存相比，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM已被對傳統(tǒng)非易失性存儲器的規(guī)格不滿意的客戶所采用。


本文關(guān)鍵詞：FRAM

上一篇文章：1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。