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SRAM與ROM和Flash Memory的區(qū)別

2022-10-12 12:01:06

靜態(tài)SRAM不需要刷新,速度可以很快,比如,CPU內(nèi)部的cache,都是靜態(tài)RAM,缺點是內(nèi)存單元需要大量的晶體管,所以價格昂貴,容量小。SRAM靜態(tài)隨機存取存儲器加電時,無需刷新,數(shù)據(jù)不會丟失,一般不是行列地址復用。
 
SRAM它是一種半導體存儲器。靜態(tài)是指只要不掉電,存儲就存在SRAM中間的數(shù)據(jù)不會丟失。這與此同時。DRAM不同,DRAM需要定期刷新操作。
 
我們不應將SRAM與ROM和Flash Memory混淆,因為SRAM它是一種容易丟失的存儲器,只有在電源連續(xù)供應時才能保持數(shù)據(jù)。隨機訪問是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問,無論之前訪問的位置如何。
 
SRAM每個晶體管都存儲在四個晶體管中,形成兩個交叉耦合反向器。存儲單元有兩個穩(wěn)定狀態(tài),通常為0和1。此外還需要兩個訪問晶體管來控制存儲單元在閱讀或?qū)懽鬟^程中的訪問。因此存儲位通常需要六個MOSFET。使電路結(jié)構(gòu)對稱SRAM訪問速度要快于DRAM
 
SRAM比DRAM訪問速度快的另一個原因是SRAM所有地址位置都可以一次接收,而且DRAM使用行地址和列地址復用結(jié)構(gòu)。
 
SRAM不應該與SDRAM相混淆,SDRAM代表同步DRAM,這與SRAM完全不同。
 
SRAM也不應該與PSRAM相混淆,pSRAM是一種偽裝SRAM的DRAM。


本文關(guān)鍵詞:SRAM,DRAM,pSRAM


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