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SIC MOSFET相較于Si MOS

2022-10-08 14:53:06

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設(shè)計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結(jié)論,獲得精準的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。
 
SIC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。
 
SiC MOSFET與Si開關(guān)器件的一個重要區(qū)別是它們的柵極耐壓能力不同,Si開關(guān)器件柵極耐壓能力一般都能夠達到±30V,而SiC MOSFET柵極正壓耐壓能力一般在+20V至+25V,負壓耐壓能力一般僅有-3V至-10V。
 
同時,SiC MOSFET開關(guān)速度快,開關(guān)過程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩,如果震蕩超過其柵極耐壓能力,則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞。
 
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久,往往會在驅(qū)動電壓測量上遇到問題,即測得的驅(qū)動電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰,導(dǎo)致搞不清楚是器件的問題還是電路設(shè)計的問題,進而耽誤開發(fā)進度。


本文關(guān)鍵詞:SIC MOSFET


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