磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM與傳統(tǒng)類型的存儲(chǔ)器（如SRAM、DRAM和閃存）不同，后者使用電荷來(lái)存儲(chǔ)信息。MRAM不是利用電子的電荷，而是利用其自旋來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。這種類型的電子學(xué)被稱為“自旋電子學(xué)”。
 
MRAM自旋電子特性的核心是磁隧道結(jié)(MTJ)，這是一種由許多鐵磁層和非磁層組成的薄膜結(jié)構(gòu)。MTJ的電阻以及因此存儲(chǔ)元件的位狀態(tài)，純粹隨著這些層的極化變化而切換。由于這些材料在未通電時(shí)幾乎可以永遠(yuǎn)保持其極化狀態(tài)，因此MRAM與閃存、FeRAM和EEPROM一起屬于非易失性存儲(chǔ)器(NVM)陣營(yíng)。
 
對(duì)于1960年代和70年代的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相對(duì)較新時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)的思維方式是“在速度和密度很重要但功率不重要時(shí)考慮易失性存儲(chǔ)器”和“當(dāng)功率和密度很重要時(shí)考慮非易失性存儲(chǔ)器”速度不是。”這些簡(jiǎn)單的規(guī)則適用于當(dāng)時(shí)可用的技術(shù)，如DRAM、SRAM和EEPROM。然而，今天的內(nèi)存領(lǐng)域包含如此多的技術(shù)，以至于不再可能做出如此嚴(yán)格的區(qū)分。每種類型的內(nèi)存都有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)，并且有一些“理想內(nèi)存”候選者承諾結(jié)合許多技術(shù)的優(yōu)勢(shì)而沒有弱點(diǎn)。一個(gè)這樣的候選者是基于自旋扭矩技術(shù)的下一代MRAM，稱為STT-MRAM。它承諾結(jié)合閃存的非易失性、DRAM的密度、SRAM的速度和MRAM的抗輻射性。


本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,SRAM

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