傳統(tǒng)上，有兩種方法可以增加應(yīng)用程序的ram：
使用更大的微控制器(MCU)：如果必須購買更大、更昂貴的MCU以獲得更多RAM，則此選項的吸引力較小
使用外部并行RAM：但并行RAM使用大型封裝，通常需要至少16-20個I/O
串行SRAM提供了在設(shè)計中添加RAM的靈活性，而沒有大型MCU或并行RAM的缺點(diǎn)，并使用簡單的4針SPI接口。這些器件還通過SDI和SQI接口提供了更高的性能，可將數(shù)據(jù)速率提高多達(dá)4倍。
 
下面介紹一款可增加應(yīng)用程序的512Kbi的Serial SRAM芯片23LC512，需了解更多產(chǎn)品相關(guān)資料及技術(shù)支持可聯(lián)系英尚微電子。
 
Microchip型號23LC512容量512Kbit串行SRAM，與現(xiàn)在許多MCU系列的串行外設(shè)接口端口連接。它還可以通過使用在固件中正確編程以匹配SPI協(xié)議的離散I/O線與沒有內(nèi)置SPI端口的微控制器連接。23LC512還能夠在SDI/SQI高速SPI模式下工作。
 
Microchip微芯23LC512存儲器通過簡單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線訪問。所需的總線信號是時鐘輸入(SCK)加上單獨(dú)的數(shù)據(jù)輸入(SI)和數(shù)據(jù)輸出(SO)線。通過芯片選擇(CS)輸入控制對器件的訪問。如果應(yīng)用需要更快的數(shù)據(jù)速率，還支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）。該器件還支持對存儲器陣列的無限制讀寫。23LC512采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括8-引線SOIC、PDIP和先進(jìn)的8引線TSSOP。

本文關(guān)鍵詞：Serial SRAM,23LC512,SRAM

相關(guān)文章：Microchip具有SDI和SQI接口串行SRAM存儲器23LC512

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。