ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。為汽車(chē)、通信、數(shù)字消費(fèi)、以及工業(yè)和醫(yī)療等主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售高性能集成電路的技術(shù)翹楚。
 
IS61WV51216 SRAM芯片是一個(gè)8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準(zhǔn)再加創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，造就了這款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
 
這種高度可靠的工藝與包括ECC（SEC-DED：?jiǎn)渭m錯(cuò)-雙糾錯(cuò)）在內(nèi)的創(chuàng)新電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可產(chǎn)生高性能和高度可靠的設(shè)備。通過(guò)使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內(nèi)存擴(kuò)展。有效的低寫(xiě)入使能(WE#)控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。采用標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP(TYPEII)封裝。

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