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鐵電存儲器常見問題解決方案

2021-11-08 10:27:19

FRAM(鐵電RAM)是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如 EEPROM、閃存)相比,鐵電存儲器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。鐵電存儲器是一種具有高讀寫耐久性和快速寫入速度,功耗低等優(yōu)點(diǎn)的高性能和高可靠性存儲器。
 
本篇文章鐵電存儲器代理商英尚微電子介紹關(guān)于使用其他存儲芯片的常見問題和解決方案。
 
狀態(tài):使用EEPROM
問題:由于寫耐久性規(guī)范的限制,難以更頻繁地記錄數(shù)據(jù)
解決方案:使用FRAM保證10萬億讀/寫周期
 
狀態(tài):使用EEPROM
問題:有突發(fā)事故或斷電寫入數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險
解決方案:使用具有快速寫入功能的FRAM,以保護(hù)斷電寫入數(shù)據(jù)
 
狀態(tài):使用SRAM
問題:難以取出電池以保留數(shù)據(jù)
解決方案:使用FRAM作為非易失性存儲器
 
總之,鐵電存儲器產(chǎn)品為客戶帶來了諸如減少開發(fā)負(fù)擔(dān)、增強(qiáng)客戶產(chǎn)品性能和降低成本等好處。
 
本文關(guān)鍵詞:鐵電存儲器,FRAM,鐵電RAM


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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

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