該芯片使用增強(qiáng)型51內(nèi)核，工作頻率高達(dá)64兆赫茲，內(nèi)置16K Bytes FLASH，1K Bytes SRAM，3個(gè)定時(shí)器，1個(gè)看門狗，1個(gè)SPI，1個(gè)I2C，2個(gè)UART，1個(gè)12Bit ，8通道ADC，1個(gè)10Bit DAC，2個(gè)模擬比較器。供電電壓為2.7V至4.25V，工作溫度-40℃至+85℃，支持4種工作模式，DPD模式功耗可低至0.5uA，提供TSSOP20封裝，其內(nèi)建高速SPI模塊，高速I2C模塊，用于低成本高性能的通信處理場合。英尚微電子可提供樣品測試及必要的FAE技術(shù)支持。
 
003F4P6是針對(duì)高速IO應(yīng)用的8位單片機(jī)寬電壓，其內(nèi)建高速SPI模塊，高速I2C模塊，用于低成本高性能的通信處理場合。內(nèi)核采用集成增強(qiáng)型CPU模塊，該CPU為單周期8位微控制器。它是一個(gè)全功能嵌入式微控制器，兼容所有ASM51指令和80C31指令；該結(jié)構(gòu)的微控制器簡化了總線狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)取指和執(zhí)行同步進(jìn)行；同時(shí)51實(shí)現(xiàn)了一個(gè)時(shí)鐘周期就是一個(gè)機(jī)器周期的設(shè)計(jì)，相比傳統(tǒng)的51每一個(gè)機(jī)器周期包含12個(gè)時(shí)鐘周期，整體性能上大約有8倍的提升。
 
•高性能8Bit 內(nèi)核
-8 Bit 1T增強(qiáng)型51內(nèi)核，指令代碼兼容標(biāo)準(zhǔn)51
-工作頻率最高64MHz
-外設(shè)模塊時(shí)鐘為單獨(dú)門控時(shí)鐘，用戶可以選擇性關(guān)閉模塊時(shí)鐘以降低動(dòng)態(tài)功耗；同時(shí)每個(gè)功能模塊可以單獨(dú)在ROM配置使能信號(hào)
-支持共13個(gè)中斷發(fā)生源，4級(jí)中斷優(yōu)先級(jí)控制
•存儲(chǔ)器
-片上集成256 Bytes SRAM作為內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)
-片上集成1KBytes XSRAM作為擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，同時(shí)也可以作為程序運(yùn)行。
-片上集成最大16K Bytes FLASH作為程序存儲(chǔ)區(qū)
-片上集成 2K Bytes NVR（非易失性寄存器）
-片上集成 2K Bytes ROM，作為芯片的Boot Loader和自檢測（啟動(dòng)引導(dǎo)區(qū)）

本文關(guān)鍵詞：N76E003AT20,MCU,

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